به گزارش نبض بازار،سامسونگ بار دیگر از شارژ ۲۵ واتی برای گوشی‌های تاشو پرچمدار خود، گلکسی زد فولد ۶ و زد فلیپ ۶، استفاده خواهد کرد. این موضوع با دریافت گواهینامه ۳C برای این دو مدل تایید شده است.
استفاده از شارژ ۲۵ وات در حالی است که بسیاری از رقبای سامسونگ از شارژ سریعتر در گوشی‌های خود استفاده می‌کنند. به عنوان مثال، شیائومی ۱۲S Ultra از شارژ ۱۲۰ واتی و وان‌پلاس ۱۰ پرو از شارژ ۸۰ واتی پشتیبانی می‌کنند.
دلایل مختلفی می‌تواند برای این تصمیم سامسونگ وجود داشته باشد. یکی از این دلایل می‌تواند نگرانی‌های مربوط به ایمنی باشد. سامسونگ پس از حادثه گلکسی نوت ۷، در مورد استفاده از فناوری‌های شارژ سریع محتاط‌تر شده است.
دلیل دیگر می‌تواند تمرکز سامسونگ بر عمر باتری باشد. شارژ سریع می‌تواند عمر باتری را در درازمدت کوتاه کند. سامسونگ ممکن است به جای تمرکز بر سرعت شارژ، به دنبال ارائه عمر باتری طولانی‌تر باشد.
با این حال، استفاده از شارژ ۲۵ واتی می‌تواند برای برخی از کاربران ناامید کننده باشد. کسانی که به دنبال شارژ سریعتر هستند، ممکن است به دنبال گزینه‌های دیگری باشند.
در نهایت، باید دید که آیا سامسونگ در آینده از شارژ سریعتر در گوشی‌های تاشو خود استفاده خواهد کرد یا خیر.
سامسونگ پس از عرضه سری پرچمدار اول خود (سری گلکسی S۲۴) در ژانویه، حالا توجه ویژه‌ای را به گوشی‌های تاشو پرچمدار خود معطوف کرده است. انتظار می‌رود این گوشی‌های تاشو که احتمالا با نام‌های گلکسی زد فولد ۶ و گلکسی زد فیلیپ ۶ معرفی شوند، در اوایل نیمه دوم سال جاری عرضه شوند.
به تازگی، شاهد یک افشاگری گسترده در مورد گوشی‌های تاشو آینده سامسونگ بودیم. امروز صبح، دو مدل جدید از سامسونگ با نام‌های "SM-F۹۵۶۰" و "SM-F۴۷۱۰" در لیست گواهینامه ۳C قرار گرفتند. شماره مدل اول مربوط به گلکسی زد فولد ۶ و شماره دوم مربوط به گلکسی زد فیلیپ ۶ است. این گواهینامه نشان می‌دهد که هر دو مدل از شارژر مشابه Samsung EP-TA۸۰۰ استفاده خواهند کرد، که یک شارژر ۲۵ وات است و سامسونگ مدت‌هاست در گوشی‌های پرچمدار خود از آن استفاده می‌کند. علاوه بر این، گوشی‌های تاشو پرچمدار قبلی نیز از همین شارژر استفاده می‌کردند.
شارژر EP-TA۸۰۰ با حالت‌های زیر شارژ می‌شود: ۱۵ وات (۵ ولت/۳ آمپر)، ۲۵ وات (۹ ولت/۲.۷۷ آمپر)، ۱۰ وات-۱۸ وات (۳.۳-۵.۹ ولت/۳ آمپر) و ۷.۵ وات-۲۵ وات (۳.۳-۱۱ ولت/۲.۲۵ آمپر). در این مرحله، سامسونگ با توجه به استفاده از این فناوری قدیمی برای سال‌های متمادی، باید به دنبال فناوری جدیدی در زمینه شارژ باشد. احتمالا به دلیل حادثه گلکسی نوت ۷، سامسونگ هنوز از فناوری شارژ سریع اجتناب می‌کند.
در رابطه با سایر مشخصات، انتظار می‌رود گوشی‌های تاشو جدید Galaxy Z از چیپست اسنپدراگون ۸ نسل ۳ قدرت بگیرند. این چیپست بر اساس فرآیند ساخت ۴ نانومتری TSMC ساخته شده و دارای ۱ هسته Cortex-X۴ Super-Core (با فرکانس ۳.۳ گیگاهرتز)، ۳ هسته Cortex-A۷۲۰ P-Core (با فرکانس ۳.۱۵ گیگاهرتز)، ۲ هسته Cortex-A۷۲۰ P-Core (با فرکانس ۲.۹۶ گیگاهرتز) و ۲ هسته Cortex-A۵۲۰ E-Core (با فرکانس ۲.۲۷ گیگاهرتز) است.
منبع:.myfixguide